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TSB582是意法半导体首款高压大电流双运算放大器,封装小巧(带裸露焊盘的SO8和带有裸露焊盘和表面可湿的DFN8)。我们的团队首先考虑将其用于电动车辆的旋转变压器,或具有高功率交流电机或无刷直流电机的其他应用(能将机械运动转换为电气数据),以确定电机位置并提高效率。此外,该运算放大器的尺寸以及与其他运算放大器的引脚兼容性使其成为一款出色的压电执行器通用器件。因此,我们在2023年全球嵌入式系统展上推出了TSB582并在驾驶模拟演示中展示了新款TorontoTechnologyTour。 为什
AMD在本周二推出的最新Versal FPGA(收购自XILINX赛灵思),不仅仅可以模拟30年前的微处理器。这些成果希望能在芯片制造之前,对其进行全面的仿真、测试和调试。 众所周知,芯片的流片制造成本极其高昂,一旦事后发现设计缺陷则更加致命。AMD Versal系列高级产品线经理Rob Bauer在采访中表示,在新FPGA的帮助下,芯片设计人员可以“在芯片流片之前创建数字孪生,或者为计划推出的ASIC/SoC制作数字版本。他们可以提前验证,在设计周期之内提早尝试软件开发等。” 根据Bauer
近日,一位名为HXL的硬件爆料者(@9550pro)在社交媒体上公布了一组AMD Phoenix2的模具截图,揭示了新一代Zen 4核心与Zen 4c核心处理器设计方案。从泄露的图片中,我们可以看到这款处理器采用了独特的2+4核设计,总共拥有12线程。 在过去的半年里,网络上一直盛传AMD计划推出一款结合了Zen 4和Zen 4c核心(两者在架构上相同,但频率较低)的APU(加速处理单元)。这种混合架构的设计与英特尔的P+E(性能核与能效核)架构有异曲同工之妙。目前看来,这款产品的发布似乎已经
英伟达在2023年全球超算大会(SC23)上推出了一款最新的AI芯片H200,用于AI大模型的训练,相比于其前一代产品H100,H200的性能提升了约60%到90%。 H200是英伟达H100的升级版,与H100同样基于Hopper架构,主要升级包括141GB的HBM3e显存,显存带宽从H100的3.35TB/s增加到了4.8TB/s。 在大模型推理表现上,H200在700亿参数的Llama2大模型上的推理速度比H100快了一倍,而且在推理能耗上H200相比H100直接降低了一半。对于显存密集
工业自动化和数字化转型正推动可扩展、标准化网络解决方案市场快速增长,以满足商业运营技术(OT)部署的需求。为了向自动化制造商提供全面的网络解决方案,Microchip Technology Inc.近日宣布推出LAN9662千兆以太网交换机。该交换机具有四个端口、音视频桥接和时敏网络 (AVB/TSN)、两个集成 10/100/1000BASE-T PHY 和一个 600 MHz Arm® Cortex®-A7 CPU 子系统。 为支持工业以太网应用,LAN9662 具有实时引擎(RTE),能
随着从云连接边缘节点收集和传输的数据逐步增加,改进型集成电路(I3C®)正迅速成为连接高数据速率传感器的更具可持续性的解决方案,并将有助于扩展下一代器件的功能。Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)率先推出PIC18-Q20 系列单片机 (MCU),这是业界首款具有多达两个I3C外设和多电压 I/O(MVIO)的低引脚数MCU。PIC18-Q20 MCU采用14引脚和20引脚封装,尺寸小至3 x 3 mm,是实时控制、触摸传感和连接应用的紧凑型解决方案。该款MC
生成式 AI 和 AI/ML 技术的兴起对更高速连接提出了新需求,推动后端数据中心网络和应用实现800G连接。使用有源电子电缆(AEC)是当前最有效的解决方案,但电缆供应商需要克服许多设计和开发障碍。为解决这一问题,Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)今日宣布推出META-DX2C 800G重定时器,为双密度四通道小型可插拔封装(QSFP-DD)和八通道小型可插拔封装 (OSFP) AEC 电缆产品提供加速开发路径。重定时器由800G AEC 产品开发综合解决方案

基于ARM Cortex

2024-02-07
STM8系列MCU单片机于2008年推出,是意法半导体推出的一种基于ARM Cortex-M3内核的单片机,包括STM8A、STM8S、STM8L三个系列。STM8系列单片机具有高性能、低功耗、低成本等优点,适用于消费电子、工业控制、物联网等领域。 STM8是意法半导体推出的一种基于ARM Cortex-M3内核的单片机,包括STM8A、STM8S、STM8L三个系列。该系列单片机具有高性能、低功耗、低成本等优点,适用于消费电子、工业控制、物联网等领域。 STM8系列单片机采用Cortex-M
智能电源和智能感知技术的领导者安森美(onsemi,美国纳斯达克上市代号:ON),推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅SiC M3S器件,助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。全新产品系列包括有助于提高开关速度的EliteSiC MOSFET和模块,以适配越来越多的800 V电动汽车(EV)车载充电器(OBC)和电动汽车直流快充、太阳能方案以及能源储存等能源基础设施应用。 该产品组合还包括采用半桥功率集成模块(PIMs)的新型EliteSiC M3S器件,具有领先业界
从ADI官网的介绍来看,ADRV9002重点面向低功耗或者需要动态功耗控制的手持或电池供电设备。从芯片内部架构图如下:      考虑到芯片推出时间先后以及ADRV的命名方式,这里以ADRV9009为对比对象,部分特点会和AD9361对比;从架构变化来看,ADRV9002对比ADRV9009有以下几个大的变化: 扩展了工作频率范围:ADI其他的收发器最低频率只能到70MHz,ADRV9002扩展为30~6000MHz,可以直接覆盖FM数字电台和其他移动电台频段;继承了ADRV9009的模拟射频